STF22NM60N——600V、16A MDmesh™ II N 沟道功率 MOSFET 晶体管 描述：STF22NM60N 是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。 STF22NM60N——产品属性： 系列：MDmesh™ II FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：220 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：44 nC @ 1

型号ncep039n10m和ncep01t13，顺便看下这两个芯片，综合判断下哪个板子好

在低压工频逆变器设计中，MOS管的选型直接影响系统效率与可靠性。

STW14NK50Z：500V，14A，有齐纳管保护的SuperMESH™ 功率MOSFET晶体管 型号：STW14NK50Z 封装：TO-247-3 类型：功率MOSFET晶体管 STW14NK50Z——产品属性： FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：92 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±30V 不同 Vds

1月13日晚，美国政府再次针对芯片等先进领域进行限制，说明全球化的时代在不断收窄。企业必须要考虑如何将关键的生产器件放在安全且能用得放心的产品上。尤其国内企业现阶段面临产品出海就更加需要注意，车载逆变器作为其中重要出口产品该如何选用好的国产MOS管来应用呢？

马上就要过年了，期待。

MOS管在户外储能电源里通常扮演功率开关的作用，它是确保整个产品系统高效运行和长久稳定的重要一环。尤其是在逆变模块中的DC-DC推挽拓扑升压电路上使用，它充当高频开关操作，实现直流电与交流电之间的转换，提升系统效率。

哪位大佬知道这个mos管模块怎么用啊，我按照他这样接信号端的地和pwm线会发烫像短路了一样。还好我的单片机没烧。

MOSFET是逆变模块中不可或缺的核心元件。它能直接影响逆变器的效率、响应速度、热管理和整体可靠性。因此对于逆变模块的MOS管选型使用就显得尤为重要

IMW65R010M2H：650V、46A、10mOhms、碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管，TO-247-3 型号：IMW65R010M2H 封装：TO-247-3 类型：碳化硅 CoolSiC™ G2 MOSFET 晶体管 IMW65R010M2H - 产品属性： 产品种类：碳化硅MOSFET 晶体管极性：N-通道 通道数量：1 Channel 漏源电压（Vdss）：650V Id-连续漏极电流：46A Rds On-漏源导通电阻：10mOhms Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压：5.6 V Qg-栅极电荷：112 nC Pd-功率耗散：440 W 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247

这是什么品牌什么型号的 nmos管？找了很久都没找到

在12V蓄电池输入的车载高频逆变器中，利用DC/DC推挽拓扑的升压电路主要依赖MOS管来实现高效的能量转换。由此可知，在电路设计中如何给车载高频逆变器选择好的MOS管则会直接影响其能量的转换。

怎样提升BLDC电机驱动控制器的精度以及稳定性？没有国产MOS管替代之前大家主要是使用IRFB7545PbF型号场效应管。

IPT025N15NM6（MOSFET晶体管）：150V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，PG-HSOF-8 FET 类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）：150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），263A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：8V，15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 120A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V Vgs（最大值）：±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V 功率耗散（

有互锁的mos开关管么，网上搜不到，难道要自己手搓一个？？

这是华为r4850s1电源的低压侧mos管，输出53.3V，56.1A

马达驱动对于MOS管的开关速度要求是很重要的，毕竟快速开关的MOS管有助于减少开关损耗，提高系统效率。

不管是电动汽车还是移动设备等等需要提供适应不同设备需求的直流电源都是需要使用到电源转换器的。而优质的电源转换器是需要有高可靠性的MOS管来解决电路设计的问题

一款国产100V、250A的MOS管适合用于12V、24V或48V输入的工频逆变器，输出功率可以达到25kW。

酒吧音响的电路设计不在局限于国外电子元器件，国产化MOS管也能达成低导通、高耐压的性能需求。选择一款性格比好的国产MOS管代换IXFK94N50P2场效应管也是电子工程师需要关注

汽车作为中国新产业增长的引擎之一，直接带动整个产业链的发展。而汽车功放则是其中之一，如何提升汽车功放的效果性能呢？

铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET 特征： 120V,200A RDS（ON）<5.5mΩ＠VGS=10V TYP:5.0mΩ RDS（ON）<7.5mΩ＠VGS=6V TYP:6.5mΩ 先进的沟槽电池设计 低热阻 应用： 电机驱动器 直流-直流转换器

描述：AP180N03P/T采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征：VDS=30V ID =180ARDS(ON) < 3.2mΩ @ VGS=10V （Type：2.1mΩ） 应用：电池保护 负载开关 不间断电源

AP7N65K N-通道增强型 MOSFET特征： 650V,7A RDS（ON）<1.35Ω＠VGS=10V TYP:1.1Ω 快速切换 100%雪崩测试 改进的dv/dt能力 应用： 开关模式电源（SMPS） 不间断电源（UPS） 功率因数校正（PFC）PWM应用

APA65R640FM 超结功率场效应晶体管特征：650V,7ARDS（ON）<640mΩ＠VGS=10V TYP:523mΩ先进的超结技术极低导通电阻应用：功率因子校正（PFC）开关模式电源（SMPS）不间断电源（UPS）LED照明电源

AP100N03P/T 30V N-通道增强模式 MOSFET 描述： AP100N03P/T是采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作 该器件适用于电池保护或其他开关应用 特征： VDS = 30V ID =100 A RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V （Type：4.5mΩ） 应用： 电池保护 负载开关 不间断电源

光伏逆变器能将光伏太阳能电池板产生的直流电（DC）转换为交流电（AC），在应用中光伏逆变器有多种不同的输入电压规格，包括12V、24V、48V等。

华羿微 HYG160N06LS1D/U/V N- 通道增强型 MOSFET 特征： 60V，38A RDS（ON）<14mΩ@VGS=10V 100% 雪崩测试 100% DVDS 可靠且坚固 提供无卤素和绿色设备（符合 RoHS 标准） 应用： 开关应用 DC-DC 转换器

72V电动车控制器在应用电路中包含电机驱动电路、功率转化电路、保护电路，这三款电路都是需要使用MOS管的。究竟72V电动车控制器怎么选择代换IRFB4410型号MOS管？要考虑什么样的因素

想做mos有没有推荐

清货的有嘛

由于原理图画错了，所以目前需要这种型号的MOS管

小弟刚入行不久，最近的项目需要一款高频mos，做开关用，主要的要求就是开关频率在100MHZ以上，但小弟实了解不多，各位老哥能否推荐几款符合要求的N MOS，跪谢！！

MOS管在电路设计的选择应用一直都在国产化，而对于TOLL封装不仅有IPT015N10N5，更有国产FHL385N1F1A型号MOS管！

出厂年份2018年，KS Wedge bonder楔焊机 超声波铝丝焊线机。型号：powerfusion

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型号: FDD6637 丝印: VBE2309 品牌: VBsemi 参数说明: - MOSFET类型: P沟道 - 额定电压(VDS): -30V - 额定电流(ID): -60A - 开通电阻(RDS(ON)): 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth): -1.71V - 封装类型: TO252 应用简介: 这款FDD6637 MOSFET是一款高功率P沟道MOSFET，适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。 这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块： - 电源管理模块：适用于高功率开关电源、DC-DC变换器、逆