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铨力 APG055N12T N-通道增强型 MOSFET
特征:
120V,200A
RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V TYP:5.0mΩ
RDS(ON)<7.5mΩ@VGS=6V TYP:6.5mΩ
先进的沟槽电池设计
低热阻
应用:
电机驱动器
直流-直流转换器


IP属地:广东来自Android客户端1楼2024-09-21 11:12回复