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【NCE01P13K】产品参数介绍、NCE01P13K数据手册

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NCE01P13K采用先进的沟槽技术设计提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)。它可以可用于各种各样的应用。ESD对此表示抗议。
一般特性
●VDS=-100V,ID=-13A
RDS(ON)<200mΩ@VGS=-10V(典型值:170m \8486》)
●超高密度电池设计
●先进的沟槽工艺技术
●可靠且坚固
●超低导通电阻的高密度电池设计
应用
●电源开关
●DC/DC转换器


IP属地:广东1楼2025-03-04 14:16回复
    如需要了解这颗芯片的请与本人联系,谢谢!可联系本人索要本公司的产品手册,以便后续芯片选型哦


    IP属地:广东2楼2025-03-04 14:16
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