固态硬盘的SLC、MLC、TLC和QLC的区别
NAND Flash根据存储原理分为三种，SLC、MLC、TLC。
什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、三星使用。
MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先研发成功的，其原理是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。讲白话点就是一个Cell存放多个bit，现在常见的MLC架构闪存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架构芯片的2倍，目前三星、东芝、海力士（Hynix）都是此技术的使用者，而且这个队伍还在不断壮大，其发展速度远快于曾经的SLC架构。
与SLC比较MLC的优势：鉴于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
什么是TLC？ TLC = Triple-Level Cell，即3 bit per cell架构。TLC芯片技术是SLC和MLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。智能型手机、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
根据NAND的物理结构，NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据，需要施加电压并形成一个电场，这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元，此时完成写入数据。如果要删除存储单元（数据），则要再次施加电压让电子穿过绝缘层，从而离开存储单元。所以，NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。
由于数据写入到TLC中需要八种不同电压状态， 而施加不同的电压状态、尤其是相对较高的电压，需要更长的时间才能得以实现（电压不断增高的过程，直到合适的电压值被发现才算完成）。
所以，在TLC中数据所需访问时间更长，因此传输速度更慢。经过实测，同等技术条件下，TLC的SSD性能是比不上MLC SSD的。
什么是QLC？ QLC = Quad-Level Cell架构，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，目前中技术上在研发阶段，但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD应用中目前仍不现实 。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。下面是SLC、MLC、TLC、QLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。速度快，寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格）。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约5000-10000次擦写寿命。速度一般，寿命一般，价格一般。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命。也有Flash厂家叫8LC，速度慢，寿命短，价格便宜。
QLC = Quad-Level Cell，即4bit/cell。
相对于SLC来说，MLC的容量大了100%，寿命缩短为SLC的1/10。相对于MLC来说，TLC的容量大了50%，寿命缩短为MLC的1/20。
NAND Flash根据存储原理分为三种，SLC、MLC、TLC。
什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、三星使用。
MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先研发成功的，其原理是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。讲白话点就是一个Cell存放多个bit，现在常见的MLC架构闪存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架构芯片的2倍，目前三星、东芝、海力士（Hynix）都是此技术的使用者，而且这个队伍还在不断壮大，其发展速度远快于曾经的SLC架构。
与SLC比较MLC的优势：鉴于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
什么是TLC？ TLC = Triple-Level Cell，即3 bit per cell架构。TLC芯片技术是SLC和MLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。智能型手机、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
根据NAND的物理结构，NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据，需要施加电压并形成一个电场，这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元，此时完成写入数据。如果要删除存储单元（数据），则要再次施加电压让电子穿过绝缘层，从而离开存储单元。所以，NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。
由于数据写入到TLC中需要八种不同电压状态， 而施加不同的电压状态、尤其是相对较高的电压，需要更长的时间才能得以实现（电压不断增高的过程，直到合适的电压值被发现才算完成）。
所以，在TLC中数据所需访问时间更长，因此传输速度更慢。经过实测，同等技术条件下，TLC的SSD性能是比不上MLC SSD的。
什么是QLC？ QLC = Quad-Level Cell架构，即4bit/cell，支持16充电值，速度最慢寿命最短，目前中技术上在研发阶段，但是intel、三星电子等厂商都已经取得了不错的进展。但在SSD应用中目前仍不现实 。
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。下面是SLC、MLC、TLC、QLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell，即1bit/cell，利用正、负两种电荷，一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。速度快，寿命长，价格贵（约MLC 3倍以上的价格）。
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约5000-10000次擦写寿命。速度一般，寿命一般，价格一般。
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命。也有Flash厂家叫8LC，速度慢，寿命短，价格便宜。
QLC = Quad-Level Cell，即4bit/cell。
相对于SLC来说，MLC的容量大了100%，寿命缩短为SLC的1/10。相对于MLC来说，TLC的容量大了50%，寿命缩短为MLC的1/20。
