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软膜：
在电子轰击汽化技术出现之前，只有在中等温度(2000 C)下熔化的材料才能制成薄膜涂层。低温材料会产生更软、更不耐用的涂层，因此需要专门的处理或保护。
电子轰击：
电子轰击能够蒸发甚至难蒸发的材料，例如氧化钛和氧化锆。 高通量电子枪（10 kV时为1 A）对准包含在大型水冷铜坩埚中的薄膜材料。 强烈的局部加热会熔化和汽化坩埚中心的某些涂层材料，而不会引起坩埚本身的加热不足。
等离子体离子轰击：
等离子离子辅助沉积(PIAD)是一种涂层技术，通常在低温下应用，它提供了独特的好处，包括增加耐温和湿度。此外，涂层过程中的离子轰击使薄膜层中原子或分子的堆积密度更高(增加折射率)，使波长位移最小，达到高附着力和低吸收。
离子束溅射：
离子束溅射是使用非常高的动能离子束的沉积方法。 靶位于离子源外部，从而可以独立或自动控制离子能量和通量。 离子的能量和通量由中性原子组成，这些中性原子可将绝缘或导电靶直接溅射到基板上； 这提供了广泛的涂层选择。
高能量通量会影响目标源并将原子直接射向目标基板。 直接溅射可在众多涂层运行中提供高水平的准确性和可重复性。 IBS沉积可产生几乎没有散射或吸收的致密涂层，从而最大程度地减少或消除了由于吸收水分而引起的光谱偏移。
磁控溅射：
磁控溅射是一种薄膜沉积工艺，它利用阴极后面的磁体将自由电子捕获在靠近目标表面的a回磁场中。 引入计量的离子或中性粒子气态等离子体，加速的电子在其路径中与中性气体原子碰撞。 这些相互作用会引起电离碰撞，并将电子驱离气体原子。 气体原子变得不平衡，与带负电的电子相比，带更多的带正电的质子。
带正电的离子朝带负电的电极加速并撞击目标材料。 能量转移大于靶材料的结合能，从而导致自由电子的释放，靶材料的腐蚀以及最终的溅射过程。 所喷射的原料颗粒是中性的，因此不受负磁场的影响。 喷射出的原子被转移到衬底上，成为致密堆积的涂层，从而导致水分吸收引起的光谱偏移很小或没有。 自由电子的释放促进了离子的形成和等离子体的传播。 由于紧密接近，导致电离碰撞的受限电子的百分比急剧增加。 这允许非常高的沉积速率，目标材料被侵蚀并随后沉积到基板上。
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